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Descripción del producto

Por favor, lea la descripción Descripción: Este transistor de efecto de campo de alimentación de silicon gate de modo mejorado N-Channel es un MOSFET de potencia avanzada diseñado, probado y garantizado sin un nivel específico de energía en el modo de funcionamiento avalancha de avería. Todos estos MOSFETs de potencia están diseñados para aplicaciones tales como reguladores de conmutación, conversos de conmutación, controladores de motores, conductores de relé y controladores para transistores de conmutación bipolar de alta potencia que requieren alta velocidad y baja potencia de transmisión de puertas. Estos tipos pueden ser operados directamente desde circuitos integrados. Antiguo tipo de desarrollo TA17435. Características Nombre del producto: MOSFET; Modelo: IRFP450 Tipo de canal: N canal; Voltaje de la fuente de drenaje: 500V Corriente de drenaje: 15A; Diámetro: 3,5 mm / 0.138 "agujero de montaje Tamaño del terminal: 14x1mm / 0.551 "x 0.039" (lx Pitch); Tamaño total: 33x14 x 4 mm / 1.299 "x 0.551" x 0.157" (lxwxh) Las fotos de los productos y productos originales pueden ser diferentes, dependiendo de las existencias. Pero funcionalmente sigue siendo el mismo. Buy BERATI está de acuerdo con los términos de Tsb. Asegúrese de que la dirección está completa: nombre de la calle, número de casa, RT / RW, número de teléfono activo Tener una buena compra

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