kingston memoria ram para portátil de 8 gb ddr3l 1600mhz pc3l-12800 1.35v no ecc kvr16ls11/8 (1)
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Descripción del producto

este documento describe el sdram de 1g x 64 bits (8 gb) ddr3l-1600 cl11 sdram (dram sincrónico), 2rx8, bajo voltaje, módulo de memoria, basado en dieciséis componentes fbga de 512 m x 8 bits. el spd está programado para la latencia estándar jedec ddr3-1600 tiempo de 11-11-11 a 1,35 v o 1,5 v. este sodimm de 204 pines utiliza dedos de contacto dorados. las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes: características: jedec estándar 1.35v (1.28v ~ 1.45v) y 1.5v (1.425v ~ 1.575v) fuente de alimentaciónvddq = 1.35v (1.28v ~ 1.45v) y 1.5v (1.425v ~ 1.575v) 800mhz fck para 1600mb/seg/pin 8 banco interno independiente latencia programable cas: 11, 10, 9, 8, 7, 6 latencia aditiva programable: 0, cl - 2, o cl - 1 reloj 8-bit pre-fetch longitud de la ráfaga: 8 (interferir sin límite, secuencial con la dirección inicial), 4 con tccd = 4 que no permite leer o escribir sin costuras [ya sea sobre la marcha usando a12 o mrs] datos diferenciales bidireccionales estroboscópicas calibración interna (auto): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohmios; 1%) en la terminación de la matriz mediante el pin odt período de actualización promedio 7.8us en menor que el tcase 85c, 3.9us at 85c; tcase lt; 95c reajustar asíncrona pcb: altura 1.18" (30 mm), componente de doble cara especificación cl(idd): 11 ciclos tiempo de ciclo fila (trcmin): 48.125ns (min.) refrescarse a active/refresh: 260ns (min.) tiempo de comando (trfcmin) tiempo activo fila (trasmin): 35ns (min.) potencia de funcionamiento máxima: (1.35v) = 2.721w* valoración ul: 94 v - 0 temperatura de funcionamiento: 0 c a 85 c temperatura de almacenamiento: -55o c a +100 c *la potencia variará dependiendo del sdram.

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